Transphorm GaN晶体管达到短路稳健性里程碑

(资料图)

据外媒报道，全球GaN功率半导体先进生产商Transphorm宣布，其采用专利技术的GaN功率晶体管展示了长达5微秒的短路耐受时间（SCWT）。

这标志着整个行业的一个重要里程碑。事实证明，Transphorm GaN功率半导体可以满足坚固型功率逆变器所需的短路能力，例如伺服电机、工业电机和传统上由硅IGBT或碳化硅（SIC）MOSFET 提供服务的汽车动力总成。

该演示是在安川电机公司（Yaskawa Electric）的支持下进行的。安川公司是Transphorm 的长期战略合作伙伴，也是中压驱动器、伺服系统、机器控制器和工业机器人领域的全球领导者。



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